| GD80+C 全自动高速固晶机 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥36ms UPHmax: 90K/h （实际产能取决于晶片与支架尺寸及制程工艺要求 | ||||||||
| 固晶位置精度 | ±25.4um | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±3° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 3*3-60*60mil | ||||||||
| 适用支架尺寸 | L:100-170mm W:30-75mm | ||||||||
| 设备外型尺寸（L*W*H） | 1550（正面长）*1010.5(侧面纵深)*2005(高度)mm | ||||||||
| GD80+C 全自动高速固晶机 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥36ms UPHmax: 90K/h （实际产能取决于晶片与支架尺寸及制程工艺要求 | ||||||||
| 固晶位置精度 | ±25.4um | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±3° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 3*3-60*60mil | ||||||||
| 适用支架尺寸 | L:100-170mm W:30-75mm | ||||||||
| 设备外型尺寸（L*W*H） | 1550（正面长）*1010.5(侧面纵深)*2005(高度)mm | ||||||||